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NTD4810NH
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2000
1750
1500
1250
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
C iss
15
12
9
T J = 25 ° C
V DS
Q T
V GS
20
16
12
1000
750
C rss
6
8
500
250
C oss
3
Q 1
Q 2
4
0
15
10
5
V GS
0
C rss
5
V DS
10
15
20
25
30
0
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
20
22
24
0
GATE--TO--SOURCE OR DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate--To--Source and Drain--To--Source
Voltage vs. Total Charge
1000
100
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
t r
t f
30
25
20
15
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(off)
t d(on)
10
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1000
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
70
V SD , SOURCE--TO--DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
60
I D = 21 A
100
10 m s
50
10
1
0.1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
100 m s
1 ms
10 ms
dc
100
40
30
20
10
0
25
50 75
100 125
150
175
V DS , DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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